باز توزیع ناخالصی آرسنیک (as) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم

Authors

داود آقا علی گل

d. agha-ali-gol department of vande graaff, nuclear research centre, atomic energy organization of iran (aeoi), tehran, iranسازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف علی باقی زاده

a. baghizadeh department of vande graaff, nuclear research centre, atomic energy organization of iran (aeoi), tehran, iranسازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف داریوش فتحی

d. fathi department of physics, khaje-nassir-toosi university, tehran, iranدانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی - تهران خیابان شریعتی- خیابان جلفا، دانشکده علوم - گروه فیزیک

abstract

در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی )در دمای 900c° و با استفاده از بخار آب( رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100kev در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای 2×1016as+/cm2و 5×1016as+/cm2بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اکسید به روش پراکندگی برگشتی راترفورد (rbs) بررسی می شود. همچنین, نحوه توزیع ناخالصی آرسنیک و عمق آن از جمله مسایلی است که می توان بدین وسیله مطالعه کرد. مقایسه این نتایج با کارهای قبلی انجام شده در زمینه اکسیداسیون سیلیسیم برای نمونه های کشت شده, افزایش سرعت رشد را نشان می دهد. ایجاد shallow junction ها از جمله نتایج مورد انتظار است.

Upgrade to premium to download articles

Already have an account?login

similar resources

باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم

In this article, we investigate the redistribution of implanted As+ ion and effect of it on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si wafers at 900oC. Our results show that a highly enriched, thin layer of Arsenic forms at the interface between the oxide and the underlying Si. Also, the oxidation rate was found to increase depending on the depth distribution and dose of the implant...

full text

شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور ذرات فعال و ناخالصی

در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه‌سازی رشد لایه‌های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (A) و ناخالصی(C) می‌پردازیم و نمای مقیاسی رشد و نمای مقیاسی زبری را به‌دست می‌آوریم و آن‌ها را با کلاس جهانی ارائه ‌شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (KPZ) مقایسه می‌کنیم. نتایج به‌دست‌آمده وجود یک احتمال بحرانی را نشان می‌دهند، به‌گونه‌ای که به‌ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جه...

full text

آموزش عالی مشوق رشد در اقتصادهای باز

با گسترش جهانی شدن و یکپارچگی بیش از پیش اقتصاد کشورها در دو دهه گذشته و مطرح شدن مباحث مربوط به اقتصاد دانش، بحث آموزش عالی و سرمایه گذاری بر روی آن مورد توجه بسیاری از اندیشمندان و صاحبنظران قرارگرفته است. مطالعات تجربی نشان می دهد که تأثیر آموزش بر رشد اقتصادی در کشورهایی که سیاستهای باز اقتصادی را دنبال کرده اند، قوی تر بوده است. در این مقاله اثر آموزش عالی بر رشد اقتصادی در کشورهای باز و ب...

full text

توزیع درآمد و تداوم رشد

full text

رشد اقتصادی و توزیع درآمد در ایران

طرح مسأله: رابطه رشد اقتصادی و توزیع درآمد از موضوعات مهم اقتصادی است که توجه اقتصاددانان به‌ویژه اقتصاددانان توسعه را به خود جلب کرده و راجع به آن نظرهای گوناگون ابراز شده است. در اقتصاد ایران به دست آوردن ارتباط متقابل رشد اقتصادی و توزیع درآمد، به دلیل اهمیتی که مبحث عدالت اجتماعی در مبانی ارزشی دارد و نیز حساسیت‌های اجتماعی که در این زمینه وجود دارد، از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است. روش: در ...

full text

رشد اقتصادی و توزیع درآمد در ایران

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}

Journal title:

پژوهش فیزیک ایران

جلد ۵، شماره ۴، صفحات ۲۴۳-۲۴۸

Keywords

پراکندگی برگشتی راترفورد اکسیداسیون گرمایی کشت یونی بازتوزیع ناخالصی

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com